В этом параграфе будут рассмотрены различные стороны процесса образования скрытого изображения при комнатной температуре. Мы ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Хейнман А.С.
Физические основы фотографической чувствительности
В этом параграфе будут рассмотрены различные стороны процесса образования скрытого изображения при комнатной температуре. Мы принимаем, что в кристаллической решетке одновременно присутствуют междуузельные ионы серебра, вакантные галоидные и вакантные серебряные узлы, причем равновесная концентрация вакантных галоидных узлов значительно меньше, чем концентрация двух других дефектов. Этот материал будет изложен в виде ряда положений.