В этом параграфе будут рассмотрены различные стороны процесса образования скрытого изображения при комнатной температуре. Мы ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Хейнман А.С. Физические основы фотографической чувствительности


В этом параграфе будут рассмотрены различные стороны процесса образования скрытого изображения при комнатной температуре. Мы принимаем, что в кристаллической решетке одновременно присутствуют междуузельные ионы серебра, вакантные галоидные и вакантные серебряные узлы, причем равновесная концентрация вакантных галоидных узлов значительно меньше, чем концентрация двух других дефектов. Этот материал будет изложен в виде ряда положений.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В этом параграфе будут рассмотрены различные стороны процесса образования скрытого изображения при комнатной температуре.  Мы принимаем,  что в кристаллической решетке одновременно присутствуют междуузельные ионы серебра,  вакантные галоидные и вакантные серебряные узлы,  причем равновесная концентрация вакантных галоидных узлов значительно меньше,  чем концентрация двух других дефектов.  Этот материал будет изложен в виде ряда положений.