Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Кузнецов Ф.А.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2
Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи с некоторыми особенностями свойств этих полупроводников. Причина этого в том, что примесные атомы при растворении локализуются в стехиометрических вакансиях, не ионизуясь при этом.