Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи с некоторыми особенностями свойств этих полупроводников. Причина этого в том, что примесные атомы при растворении локализуются в стехиометрических вакансиях, не ионизуясь при этом.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Исследование поведения примесей в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями типа 1п2Те3 представляет значительный интерес в связи с некоторыми особенностями свойств этих полупроводников.  Причина этого в том,  что примесные атомы при растворении локализуются в стехиометрических вакансиях,  не ионизуясь при этом.