Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур, то концентрация примесей в этих ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы Издание 3


Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур, то концентрация примесей в этих областях определяется необходимыми параметрами и свойствами транзисторов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Так как диффузионные резисторы формируют в базовых областях транзисторных структур,  то концентрация примесей в этих областях определяется необходимыми параметрами и свойствами транзисторов.