Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы Издание 3


Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить, что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы, которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы. Диффузионный резистор отделен от подложки электронно-дырочным переходом, который имеет собственную барьерную емкость.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Кроме перечисленных недостатков диффузионных резисторов и трудностей проектирования и создания интегральных микросхем с диффузионными резисторами необходимо отметить,  что при формировании интегральных микросхем вообще и микросхем с диффузионными резисторами в частности в структуре интегральной микросхемы образуются паразитные элементы,  которые могут нарушить нормальную работу интегральной микросхемы.  Диффузионный резистор отделен от подложки электронно-дырочным переходом,  который имеет собственную барьерную емкость.