При этом порог дырочной инжекции определяется минимальной энергией, необходимой для генерации дырки в кремнии на ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Поуп М.N. Электронные процессы в органических кристаллах Т1


При этом порог дырочной инжекции определяется минимальной энергией, необходимой для генерации дырки в кремнии на уровне энергии валентной зоны Si3N4, т.е. 3 05 эВ, вследствие того, что все электронные уровни вплоть до зоны проводимости вырожденного кремния р-тмпя заполнены или запрещены. Как видно из рис. 2.5.34, пороговое значение для фотоэмиссии из алюминиевого электрода равно 2 1 эВ, что хорошо согласуется с результатами, полученными для кремниевого электрода.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При этом порог дырочной инжекции определяется минимальной энергией, необходимой для генерации дырки в кремнии на уровне энергии валентной зоны Si3N4, т.е. 3 05 эВ, вследствие того, что все электронные уровни вплоть до зоны проводимости вырожденного кремния р-тмпя заполнены или запрещены. Как видно из рис. 2.5.34, пороговое значение для фотоэмиссии из алюминиевого электрода равно 2 1 эВ, что хорошо согласуется с результатами, полученными для кремниевого электрода.