Выдержка из книги
Ермолаев Б.И.
Конструирование функциональных узлов ЭВМ на интегральных схемах
Отсюда ясно, что для повышения степени интеграции ИС надо снижать плотность дефектов на пластине. Это достигается совершенствованием каждого из этапов производства ИС. Необходимо стремиться к тому, чтобы кристаллическая структура эпитаксиальных пленок кремния была близкой к идеальной, улучшать технологию изготовления фотошаблонов, обеспечивать чистоту технологической среды ( чистые комнаты, специальные скафандры, содержащие не более 3 - 5 пылинок в литре воздуха), улучшать процессы химической обработки пластин и пр. Одна из важных мер такого рода - применение проекционной фотолитографии: изображение фотошаблона с помощью оптической системы проецируется на слой фоторезиста, нанесенный на пластину. Этим исключается постепенное стирание фотошаблона кремниевой пластиной и возникновение на нем новых дефектов.
