В спектрах испускания и усиления этому перешейку соответствует небольшой провал. Чем выше кривая, тем для ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Главная
Карта сайта
Поиск +
Поиск по рисункам
Помощь
Выдержка из книги Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
В спектрах испускания и усиления этому
перешейку
соответствует небольшой провал. Чем выше кривая, тем для большего уровня возбуждения она получена.
(cкачать страницу)
Смотреть книгу на
libgen
Поделиться ссылкой:
