Цилиндрическая заготовка кремния n - типа диаметром около 30 мм разрезается на плоские диски толщиной ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Румпф К.Г. Барабаны, телефон, транзисторы


Цилиндрическая заготовка кремния n - типа диаметром около 30 мм разрезается на плоские диски толщиной около 200 мкм, которые носят название подложки. Диски - тщательно полируются, после чего их покрывают пленкой двуокиси кремния ( кварцевой пленкой) толщиной около 1 мкм, которая предохраняет подложку от воздействий внешней среды. Размеры окон для маломощных транзисторов составляют около 0 5X0 5 мм, а расстояние между их центрами - около 1 мм. Через эти окна освещается фотолак. После проявления в кварцевой пленке, покрывающей подложку, с помощью кислоты вытравливают до 500 отверстий. Через эти отверстия в кремний n - типа диффундирует бор. Таким образом, в области окошек возникают слои кремния р-тппа, глубина которых зависит от длительности процесса диффузии. После этого окна путем повторного окисления поверхности подложки закрываются кварцевой пленкой.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Цилиндрическая заготовка кремния n - типа диаметром около 30 мм разрезается на плоские диски толщиной около 200 мкм,  которые носят название подложки.  Диски - тщательно полируются,  после чего их покрывают пленкой двуокиси кремния ( кварцевой пленкой) толщиной около 1 мкм,  которая предохраняет подложку от воздействий внешней среды.  Размеры окон для маломощных транзисторов составляют около 0 5X0 5 мм,  а расстояние между их центрами  -  около 1 мм.  Через эти окна освещается фотолак.  После проявления в кварцевой пленке,  покрывающей подложку,  с помощью кислоты вытравливают до 500 отверстий.  Через эти отверстия в кремний n - типа диффундирует бор.  Таким образом,  в области окошек возникают слои кремния р-тппа,  глубина которых зависит от длительности процесса диффузии.  После этого окна путем повторного окисления поверхности подложки закрываются кварцевой пленкой.