Выдержка из книги
Румпф К.Г.
Барабаны, телефон, транзисторы
Цилиндрическая заготовка кремния n - типа диаметром около 30 мм разрезается на плоские диски толщиной около 200 мкм, которые носят название подложки. Диски - тщательно полируются, после чего их покрывают пленкой двуокиси кремния ( кварцевой пленкой) толщиной около 1 мкм, которая предохраняет подложку от воздействий внешней среды. Размеры окон для маломощных транзисторов составляют около 0 5X0 5 мм, а расстояние между их центрами - около 1 мм. Через эти окна освещается фотолак. После проявления в кварцевой пленке, покрывающей подложку, с помощью кислоты вытравливают до 500 отверстий. Через эти отверстия в кремний n - типа диффундирует бор. Таким образом, в области окошек возникают слои кремния р-тппа, глубина которых зависит от длительности процесса диффузии. После этого окна путем повторного окисления поверхности подложки закрываются кварцевой пленкой.