Взаимодействие начинается около 1600, однако только при температурах выше 1900 оно приводит к образованию кристаллического ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Реми Г.N.
Курс неорганической химии (копия)
Взаимодействие начинается около 1600, однако только при температурах выше 1900 оно приводит к образованию кристаллического SiC. Выше 2200 происходит его разложение, причем кремний испаряется, оставляя графит. Получение карборунда осуществляется главным образом на карборундовой фабрике, основанной создателем метода, Ачесоном, на Ниагаре. Для нагревания там используют ток силой до 10 000 а. Теплота образования SiC из элементов составляет ( при комнатной температуре) 28 ккал / молъ.