Сопротивление базы гб имеет примерно идентичную зависимость от / к и производственного разброса параметров транзистора, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Полковский И.М.
Стабилизация параметров транзисторных усилителей
Сопротивление базы гб имеет примерно идентичную зависимость от / к и производственного разброса параметров транзистора, однако в рассматриваемом случае можно пренебречь погрешностью, обусловленной колебаниями температуры окружающей среды. Колебания коллекторного напряжения UK на величину разброса сопротивления базы сказываются незначительно.