Сопротивление базы гб имеет примерно идентичную зависимость от / к и производственного разброса параметров транзистора, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Полковский И.М. Стабилизация параметров транзисторных усилителей


Сопротивление базы гб имеет примерно идентичную зависимость от / к и производственного разброса параметров транзистора, однако в рассматриваемом случае можно пренебречь погрешностью, обусловленной колебаниями температуры окружающей среды. Колебания коллекторного напряжения UK на величину разброса сопротивления базы сказываются незначительно.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Сопротивление базы гб имеет примерно идентичную зависимость от / к и производственного разброса параметров транзистора,  однако в рассматриваемом случае можно пренебречь погрешностью,  обусловленной колебаниями температуры окружающей среды.  Колебания коллекторного напряжения UK на величину разброса сопротивления базы сказываются незначительно.