Выдержка из книги
Митрофанов О.В.
Физические основы функционирования изделий микроэлектроники. Сер. Микроэлектроника. Кн.1
Ферми Р будет смещен от середины запрещенной зоны & в сторону дна зоны проводимости. В полупроводнике р-типа, наоборот, уровень F располагается ниже уровня Si, и с повышением концентрации атомов акцепторов NA в нем уровень Ферми будет располагаться все ближе к потолку валентной зоны. Заштрихованные площади пропорциональны концентрациям носителей заряда в зонах.
