Однако в этих условиях из-за увеличения длины свободного пробега электронов Яг снижается степень ионизации газа. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем


Однако в этих условиях из-за увеличения длины свободного пробега электронов Яг снижается степень ионизации газа. Чтобы преодолеть эту трудность, применяют магнитное поле, параллельное направлению разряда. При бомбардировке поверхности катода ( мишени) проявляются два эффекта: вторичная ионно-эдак-тронная эмиссия и катодное распыление. Вторичная эмиссия служит для поддержания разряда, а распыляемые частицы формируют пленочный осадок. Ионизированное состояние газового пространства между электродами называют плазмой.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Однако в этих условиях из-за увеличения длины свободного пробега электронов Яг снижается степень ионизации газа. Чтобы преодолеть эту трудность, применяют магнитное поле, параллельное направлению разряда. При бомбардировке поверхности катода ( мишени) проявляются два эффекта: вторичная ионно-эдак-тронная эмиссия и катодное распыление. Вторичная эмиссия служит для поддержания разряда, а распыляемые частицы формируют пленочный осадок. Ионизированное состояние газового пространства между электродами называют плазмой.