Выдержка из книги
Мелешкина Л.П.
Руководство к лабораторным работам по основам промышленной электроники
Различают два вида емкости р-д-перехода: 1) барьерную емкость, обусловленную объемным зарядом в p - n - переходе ( р-д-переход можно рассматривать как плоский конденсатор, в котором объег ный заряд распределен соответственно рис. 5, б и д); 2) диффузионную емкость, обусловленную изменением заряда вне р-д-перехода при изменении напряжения на переходе, как показано на рис. 5, з и и. На рис. 5, з показано распределение концентрации носителей при прямом напряжении на переходе.
