Критическая плотность тока, при которой начинается излом кривой для анода из германия электронной проводимости, должна ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Глебова Г.Д. Производство полупроводниковых приборов


Критическая плотность тока, при которой начинается излом кривой для анода из германия электронной проводимости, должна определяться скоростью, с которой электроны переходят из раствора в германий или же скоростью диффузии дырок из объема к поверхности. Электроны могут уходить из раствора только при разряде анионов. Процессом разряда анионов в исследуемом электролите должен быть разряд ионов гидроксила. Однако на аноде незаметно выделения пузырьков кислорода, указывающих на такой разряд. Более того, измерение анодного выхода по току показало, что на участке кривой насыщения единственным электродным процессом является растворение германия. Таким образом, ток насыщения, очевидно, контролируется только скоростью диффузии дырок. Переход германия в раствор сопровождается разрывом связей кристаллической решетки. Процессом, связанным с минимальной затратой энергии на этот разрыв, является миграция дырок из объема германия к поверхности. При напряжениях ниже потенциала пробоя дырки поступают в основном из глубины полупроводника. Выше этого потенциала мигрирующие дырки умножаются сильным полем пространственного заряда у поверхности, что ускоряет процесс растворения германия.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Критическая плотность тока, при которой начинается излом кривой для анода из германия электронной проводимости, должна определяться скоростью, с которой электроны переходят из раствора в германий или же скоростью диффузии дырок из объема к поверхности. Электроны могут уходить из раствора только при разряде анионов. Процессом разряда анионов в исследуемом электролите должен быть разряд ионов гидроксила. Однако на аноде незаметно выделения пузырьков кислорода, указывающих на такой разряд. Более того, измерение анодного выхода по току показало, что на участке кривой насыщения единственным электродным процессом является растворение германия. Таким образом, ток насыщения, очевидно, контролируется только скоростью диффузии дырок. Переход германия в раствор сопровождается разрывом связей кристаллической решетки. Процессом, связанным с минимальной затратой энергии на этот разрыв, является миграция дырок из объема германия к поверхности. При напряжениях ниже потенциала пробоя дырки поступают в основном из глубины полупроводника. Выше этого потенциала мигрирующие дырки умножаются сильным полем пространственного заряда у поверхности, что ускоряет процесс растворения германия.