В ряде случаев необходимо учитывать протекание по поверхности транзистора токов утечки, сопровождающееся рекомбинацией носителей в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Жеребцов И.П. Основы электроники


В ряде случаев необходимо учитывать протекание по поверхности транзистора токов утечки, сопровождающееся рекомбинацией носителей в поверхностном слое областей транзистора.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В ряде случаев необходимо учитывать протекание по поверхности транзистора токов утечки,  сопровождающееся рекомбинацией носителей в поверхностном слое областей транзистора.