В ряде случаев необходимо учитывать протекание по поверхности транзистора токов утечки, сопровождающееся рекомбинацией носителей в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Жеребцов И.П.
Основы электроники
В ряде случаев необходимо учитывать протекание по поверхности транзистора токов утечки, сопровождающееся рекомбинацией носителей в поверхностном слое областей транзистора.