С увеличением переохлаждения расплав должен приблизить свое строение к структуре твердой фазы, которая и является ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Кузнецов Ф.А.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2
С увеличением переохлаждения расплав должен приблизить свое строение к структуре твердой фазы, которая и является наиболее устойчивой в этих условиях. По-видимому, в расплаве с дан-ньш переохлаждением они являются фрагментами двуслойных плоских сеток, дозародышами и не могут вызвать зарождение и рост новых кристаллов, но при осаждении па грань ( 111) становятся жизнеспособными двумерными зародышами, присоединение которых требует большей работы ( И 2 - 4 - 10 - 13 эрг), чем в случае малых переохлаждений. Полное исчезновение одиночных атомов при этом маловероятно, поэтому следует предположить, что плотность дислокационных ступеней мала и при увеличении переохлаждения не может обеспечить существенного повышения скорости роста. В F10 ] сделана попытка показать теоретически, что присоединение группировок может давать основной вклад в кинетику роста кристалла.