С увеличением переохлаждения расплав должен приблизить свое строение к структуре твердой фазы, которая и является ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


С увеличением переохлаждения расплав должен приблизить свое строение к структуре твердой фазы, которая и является наиболее устойчивой в этих условиях. По-видимому, в расплаве с дан-ньш переохлаждением они являются фрагментами двуслойных плоских сеток, дозародышами и не могут вызвать зарождение и рост новых кристаллов, но при осаждении па грань ( 111) становятся жизнеспособными двумерными зародышами, присоединение которых требует большей работы ( И 2 - 4 - 10 - 13 эрг), чем в случае малых переохлаждений. Полное исчезновение одиночных атомов при этом маловероятно, поэтому следует предположить, что плотность дислокационных ступеней мала и при увеличении переохлаждения не может обеспечить существенного повышения скорости роста. В F10 ] сделана попытка показать теоретически, что присоединение группировок может давать основной вклад в кинетику роста кристалла.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

С увеличением переохлаждения расплав должен приблизить свое строение к структуре твердой фазы,  которая и является наиболее устойчивой в этих условиях.  По-видимому,  в расплаве с дан-ньш переохлаждением они являются фрагментами двуслойных плоских сеток,  дозародышами и не могут вызвать зарождение и рост новых кристаллов,  но при осаждении па грань ( 111) становятся жизнеспособными двумерными зародышами,  присоединение которых требует большей работы ( И 2 - 4 - 10 - 13 эрг),  чем в случае малых переохлаждений.  Полное исчезновение одиночных атомов при этом маловероятно,  поэтому следует предположить,  что плотность дислокационных ступеней мала и при увеличении переохлаждения не может обеспечить существенного повышения скорости роста.  В F10 ] сделана попытка показать теоретически,  что присоединение группировок может давать основной вклад в кинетику роста кристалла.