Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1, д), получаемая ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1, д), получаемая методом глубоко химического травления. В результате первой общей диффузии создается л - 5ьслой в кристалле n - типа. После второй общей диффузии, формирующей р-слой в кристалле кремния, образования омического контакта и защиты отдельных участков кристалла через маску осуществляется травление поверхности его незащищенных участков. В результате р-п-пере-ход остается только на небольших участках кристалла под омическим контактом. Диаметр p - n - перехода после травления уменьшается до нескольких десятков микрометров.