Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1, д), получаемая ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Шишкин Г.Г. Электронные приборы


Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1, д), получаемая методом глубоко химического травления. В результате первой общей диффузии создается л - 5ьслой в кристалле n - типа. После второй общей диффузии, формирующей р-слой в кристалле кремния, образования омического контакта и защиты отдельных участков кристалла через маску осуществляется травление поверхности его незащищенных участков. В результате р-п-пере-ход остается только на небольших участках кристалла под омическим контактом. Диаметр p - n - перехода после травления уменьшается до нескольких десятков микрометров.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для уменьшения емкости р-л-перехода в высокочастотных диффузионных диодах используется мезаструктура ( рис. 3.1,  д),  получаемая методом глубоко химического травления.  В результате первой общей диффузии создается л - 5ьслой в кристалле n - типа.  После второй общей диффузии,  формирующей р-слой в кристалле кремния,  образования омического контакта и защиты отдельных участков кристалла через маску осуществляется травление поверхности его незащищенных участков.  В результате р-п-пере-ход остается только на небольших участках кристалла под омическим контактом.  Диаметр p - n - перехода после травления уменьшается до нескольких десятков микрометров.