Выдержка из книги
Брук В.А.
Производство полупроводниковых приборов
Для создания базовой области через окна проводят двух-стадийный процесс диффузии бора в кремний на глубину 4 - 4 5 мк при температуре около 1120 С. Во время диффузии идет вторичное окисление пластин, так как процесс ведется в атмосфере сухого кислорода.