Для создания базовой области через окна проводят двух-стадийный процесс диффузии бора в кремний на глубину ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Брук В.А. Производство полупроводниковых приборов


Для создания базовой области через окна проводят двух-стадийный процесс диффузии бора в кремний на глубину 4 - 4 5 мк при температуре около 1120 С. Во время диффузии идет вторичное окисление пластин, так как процесс ведется в атмосфере сухого кислорода.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для создания базовой области через окна проводят двух-стадийный процесс диффузии бора в кремний на глубину 4 - 4 5 мк при температуре около 1120 С.  Во время диффузии идет вторичное окисление пластин,  так как процесс ведется в атмосфере сухого кислорода.