При температуре выше 1100 С от качества обработки поверхности подложки зависит монокристалличность пленки. Необходимым условием ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов


При температуре выше 1100 С от качества обработки поверхности подложки зависит монокристалличность пленки. Необходимым условием получения монокристаллических пленок является удаление с поверхности окисных пленок. Действительно, если сильно окислить подложку, а затем протравить в окисном слое окна и провести процесс наращивания эпитаксиальной пленки, то на окисленной поверхности образуется поликристаллический слой, а в окнах блестящее монокристаллическое покрытие.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При температуре выше 1100 С от качества обработки поверхности подложки зависит монокристалличность пленки.  Необходимым условием получения монокристаллических пленок является удаление с поверхности окисных пленок.  Действительно,  если сильно окислить подложку,  а затем протравить в окисном слое окна и провести процесс наращивания эпитаксиальной пленки,  то на окисленной поверхности образуется поликристаллический слой,  а в окнах блестящее монокристаллическое покрытие.