Отметим, что взято завышенное значение tn, что соответствует применению низкочастотных ключей. При использовании высокочастотных транзисторов ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Ромаш Э.М. Cтабилизаторы переменного напряжения с высокочастотным широтно-импульсным регулированием


Отметим, что взято завышенное значение tn, что соответствует применению низкочастотных ключей. При использовании высокочастотных транзисторов tn лежит в пределах 1 - 2 мкс. Действие ФЭ в этом случае перемещается в более высокочастотную область. Результаты расчета Рг по приведенным выше формулам представлены на рис. 5.9 а. Заметен также интенсивный рост габаритной мощности конденсаторов СД-цепей, начиная с частоты / 1000 Гц. Зависимости удельно-экономического показателя Э ( /) могут быть построены на основе параметров, указанных в технических условиях на элементы или расчетным путем.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Отметим,  что взято завышенное значение tn,  что соответствует применению низкочастотных ключей.  При использовании высокочастотных транзисторов tn лежит в пределах 1 - 2 мкс.  Действие ФЭ в этом случае перемещается в более высокочастотную область.  Результаты расчета Рг по приведенным выше формулам представлены на рис. 5.9 а.  Заметен также интенсивный рост габаритной мощности конденсаторов СД-цепей,  начиная с частоты / 1000 Гц.  Зависимости удельно-экономического показателя Э ( /) могут быть построены на основе параметров,  указанных в технических условиях на элементы или расчетным путем.