Как видим, в зависимости от соотношения длины свободного пробега электрона и толщины запорного слоя применимы ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов


Как видим, в зависимости от соотношения длины свободного пробега электрона и толщины запорного слоя применимы либо диодная, либо диффузионная теория. Запорные слои, к которым применима диодная теория, будем в дальнейшем называть тонкими, а слои, к которым применима диффузионная теория - толстыми. Следует иметь в виду, что здесь существенно отношение толщины слоя к длине свободного пробега, поэтому при равной толщине в веществах с большой подвижностью слой может быть тонким, а с малой подвижностью - толстым.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Как видим, в зависимости от соотношения длины свободного пробега электрона и толщины запорного слоя применимы либо диодная, либо диффузионная теория. Запорные слои, к которым применима диодная теория, будем в дальнейшем называть тонкими, а слои, к которым применима диффузионная теория - толстыми. Следует иметь в виду, что здесь существенно отношение толщины слоя к длине свободного пробега, поэтому при равной толщине в веществах с большой подвижностью слой может быть тонким, а с малой подвижностью - толстым.