Выдержка из книги
Сирота Н.Н.
Химическая связь в полупроводниках
Для исследования были использованы нелегированные образцы n - типа с плотностью носителей - 1016 - 1017 см-3, образцы, легированные цинком, с концентрацией дырок - 1018 см-3 и образцы сплава 0 7 InSb - 0 3 InAs, легированные теллуром от 2 7 10 - 5 до 2 0 10 - 3 вес.