Монокристаллы выращены в промышленных условиях методом Чох-ральского и легированы цинком до концентрации дырок / 1 ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Монокристаллы выращены в промышленных условиях методом Чох-ральского и легированы цинком до концентрации дырок / 1 5 - 1019 см-3. После механической полировки они полировались химически, при этом удалялся поверхностный слой 30 - 50 мкм. Исключение Ка - излучения за счет строгой коллимации и применение тонкослойной фотоэмульсии обеспечивали более высокое линейное разрешение дефектов кристаллической решетки в изучаемых монокристаллах, чем это достигается без разделения КЯ1 г и Kttz - излучений с использованием фотопластинок с.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Монокристаллы выращены в промышленных условиях методом Чох-ральского и легированы цинком до концентрации дырок / 1 5 - 1019 см-3. После механической полировки они полировались химически, при этом удалялся поверхностный слой 30 - 50 мкм. Исключение Ка - излучения за счет строгой коллимации и применение тонкослойной фотоэмульсии обеспечивали более высокое линейное разрешение дефектов кристаллической решетки в изучаемых монокристаллах, чем это достигается без разделения КЯ1 г и Kttz - излучений с использованием фотопластинок с.