Из анализа перечисленных данных следует, что наиболее высокотемпературный пик в кривой термического высвечивания ( 160 ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Кац М.Л.
Люминесценция и электронно-дырочные процессы в фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений
Из анализа перечисленных данных следует, что наиболее высокотемпературный пик в кривой термического высвечивания ( 160 - 170 С для КС1 и NaCl) обусловлен тепловым освобождением электронов из F-центров. Действительно, фотохимическое превращение центров захвата, связанных с наиболее высокотемпературным пиком, в другие центры с меньшей энергией локализации ( рис. 45 - 47) происходит только под действием света, соответствующего F-поло-се поглощения. Подобного фотохимического превращения центров не происходит, если облучение рентгенизованного кристалла F-светом производится при низкой температуре. Но именно так должны себя вести F-центры, так как поглощаемый ими свет переводит электроны только на уровни возбуждения F-центров, последующее освобождение с которых происходит под действием тепловых колебаний решетки. Поэтому при достаточно низких температурах возбужденные электроны не попадают в зону проводимости и возвращаются на исходные уровни, вследствие чего разрушение F-центров становится невозможным.