Выдержка из книги
Парфенов О.Д.
Технология микросхем
Для эффективной работы ПЗС необходимо ослабить влияние двух факторов, которые приводят к потере заряда при его перемещении вдоль поверхности кристалла: поверхностные состояния на границе полупроводник - диэлектрик и потенциальные барьеры, имеющие место в межэлектродной области полупроводника. Для существенного ослабления первого фактора необходимо, чтобы плотность поверхностных состояний не превышала 10 - 8 - 109 см-2. Для уменьшения потенциальных барьеров расстояния между электродами должны составлять не более 2 мкм.
