Выдержка из книги
Веригин А.Н.
Кристаллизация в дисперсных системах
Для режимов работы с S 1 характерно линейное уменьшение температуры в центральной части колонны, и профили с одинаковыми значениями S в этой части колонны параллельны. С увеличением расхода сплошной фазы, а значит, и с уменьшением Si скачок температуры сплошной фазы вверху колонны уменьшается, причем для режимов работы с Si 1 в основном теплообмен происходит в центральной и нижней частях колонны. С увеличением расхода дисперсной фазы, то есть с увеличением значений Si, скачок температуры сплошной фазы на входе в колонну увеличивается, и для Si 1 он достигает 50 % и более. Объясняется это увеличением содержания дисперсной фазы в колонне, что приводит к возрастанию захвата сплошной фазы каплями дисперсной, а также к появлению циркуляционных токов жидкостей в верхней и нижней частях аппарата. Всего был замерено около 300 профилей температуры.
