Паразитные емкости можно уменьшить, используя метод ионного легирования или изготовлением МДП структур с кремниевыми затворами, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем


Паразитные емкости можно уменьшить, используя метод ионного легирования или изготовлением МДП структур с кремниевыми затворами, которые обеспечивают самосовмещение и уменьшают перекрытие между областью затвора и областями стока и истока. Как показано на рис. 18 - 3, канал в этих приборах представляет собой узкую область, заключенную между двумя областями противоположного типа проводимости. Эта область создается последовательной диффузией двух легирующих примесей разного типа проводимости под край одного отверстия в маскирующей пленке окисла, вытравленного над областью истс / ка. Как только край этого отверстия создан, самая ответственная величина L является функцией только режимов диффузии. Ошибки маскирования, экспозиции и травления исключаются. Поскольку граница одной диффузионной области повторяет границу другой, величина L определяется по существу теми же факторами, что и толщи-па базовой област-ц в биполярном транзисторе.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Паразитные емкости можно уменьшить, используя метод ионного легирования или изготовлением МДП структур с кремниевыми затворами, которые обеспечивают самосовмещение и уменьшают перекрытие между областью затвора и областями стока и истока. Как показано на рис. 18 - 3, канал в этих приборах представляет собой узкую область, заключенную между двумя областями противоположного типа проводимости. Эта область создается последовательной диффузией двух легирующих примесей разного типа проводимости под край одного отверстия в маскирующей пленке окисла, вытравленного над областью истс / ка. Как только край этого отверстия создан, самая ответственная величина L является функцией только режимов диффузии. Ошибки маскирования, экспозиции и травления исключаются. Поскольку граница одной диффузионной области повторяет границу другой, величина L определяется по существу теми же факторами, что и толщи-па базовой област-ц в биполярном транзисторе.