Токи эмиттерного и коллекторного переходов можно найти, определив градиенты концентрации дырок на границах области базы. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники Издание 2


Токи эмиттерного и коллекторного переходов можно найти, определив градиенты концентрации дырок на границах области базы. Взаимодействие близко расположенных эмиттерного и коллекторного переходов приводит к изменению закона распределения неравновесных дырок в базе. Обычно предполагают, что концентрация неравновесных неосновных носителей заряда значительно меньше концентрации основных носителей. В этом случае влиянием электрического поля в базе на неосновные носители заряда можно пренебречь и считать, что последние движутся от эмиттера к коллектору только за счет диффузии. Кроме того, можно полагать, что все приложенное к транзистору напряжение падает только на р-и-переходах.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Токи эмиттерного и коллекторного переходов можно найти,  определив градиенты концентрации дырок на границах области базы.  Взаимодействие близко расположенных эмиттерного и коллекторного переходов приводит к изменению закона распределения неравновесных дырок в базе.  Обычно предполагают,  что концентрация неравновесных неосновных носителей заряда значительно меньше концентрации основных носителей.  В этом случае влиянием электрического поля в базе на неосновные носители заряда можно пренебречь и считать,  что последние движутся от эмиттера к коллектору только за счет диффузии.  Кроме того,  можно полагать,  что все приложенное к транзистору напряжение падает только на р-и-переходах.