Напряженность внутреннего поля увеличивается с ростом градиента коцентрации доноров и температуры. При изготовлении полупроводниковых приборов ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Напряженность внутреннего поля увеличивается с ростом градиента коцентрации доноров и температуры. При изготовлении полупроводниковых приборов широко пользуются методом диффузии примесей в полупроводник. При этом создается неравномерное распределение примесей, которое приближенно может быть представлено функцией вида Ng ( x) ЛГ.
