Режим насыщения характеризуется тем, что оба перехода, эмиттерный и коллекторный, смещены в прямом направлении. Концентрации ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Евсеев Ю.А. Силовые полупроводниковые приборы


Режим насыщения характеризуется тем, что оба перехода, эмиттерный и коллекторный, смещены в прямом направлении. Концентрации избыточных носителей в базе повышены по сравнению с активным режимом. Распределение неосновных носителей в базе р-п - р структуры, работающей в режиме насыщения, представлено на рис. 4.21. Пунктирной линией показано распределение дырок при работе структуры в активном режиме, когда через цепь коллектора протекает тот же ток, что и в режиме насыщения. Действительно, в обоих случаях имеется одинаковый градиент концентрации дырок, обеспечивающий одинаковый диффузионный ток.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Режим насыщения характеризуется тем, что оба перехода, эмиттерный и коллекторный, смещены в прямом направлении. Концентрации избыточных носителей в базе повышены по сравнению с активным режимом. Распределение неосновных носителей в базе р-п - р структуры, работающей в режиме насыщения, представлено на рис. 4.21. Пунктирной линией показано распределение дырок при работе структуры в активном режиме, когда через цепь коллектора протекает тот же ток, что и в режиме насыщения. Действительно, в обоих случаях имеется одинаковый градиент концентрации дырок, обеспечивающий одинаковый диффузионный ток.