Выдержка из книги
Орлов И.А.
Основы вычислительной техники и организация вычислительных работ1971
К эмиттерному переходу приложится прямое напряжение, в результате чего в область базы со стороны эмиттера начнут эмиттироваться электроны. Эти электроны, проходя через базу, попадают в область коллектора и создают коллекторный ток. Ток в коллекторе будет тем больше, чем больше ток эмиттера, так как с увеличением тока эмиттера в базе возрастает концентрация неосновных носителей, которые и создают коллекторный ток. Поскольку сопротивление эмиттерного перехода мало, эмиттирование носителей в базу через этот переход связано с затратой небольшой энергии, так как падение напряжения на эмиттерном переходе незначительно. Основная часть этих носителей, проходя через коллекторный переход, снижает его сопротивление, в результате чего внутреннее сопротивление транзистора постоянному току уменьшается и коллекторный ток возрастает. При достаточно большом значении резистора RK падение напряжения, создаваемое на нем коллекторным током, будет в десятки раз превосходить величину напряжения, подаваемого на вход.