Выдержка из книги
Брук В.А.
Производство полупроводниковых приборов
Пленарная технология на германии проводится так же, за исключением того, что температура диффузии ниже ( 700 - 800 С), а плевка двуокиси кремния на поверхности, естественно, не может быть получена окислением германия. Пленку осаждают на поверхность германия термическим разложением кремнийорганяче-ского соединения - этилсиликата в смеси с аргоном при температуре 610 - 615 С. Планарная технология в настоящее время является основой универсальной технологии, позволяющей на имеющемся оборудования при незначительной его переделке выпускать целую гамму приборов различного назначения. Иногда полупроводниковые приборы изготовляют, применяя метод диффузии по планарной технологии, но невыпрямляющие контакты выводят на две противоположные плоскости, что облегчает сборку этих структур в корпус.
