Это происходит благодаря тому, что указанные процессы контролируются ( лимитируются) поверхностной химической реакцией ( проходят ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Киреев В.Ю. Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы


Это происходит благодаря тому, что указанные процессы контролируются ( лимитируются) поверхностной химической реакцией ( проходят в кинетической области), и поверхностная чувствительность может быть снижена уменьшением отношения O / TEOS или давления. К сожалению, такие изменения процессных параметров ведут к ухудшению заполнения зазоров. Но, с другой стороны, поверхностная чувствительность позволяет получать селективное осаждение пленок USG и добиваться самопланаризации при формировании щелевой изоляции из-за разности в скоростях осаждения и плотности пленок, осаждаемых на участках подложки из нитрида кремния и монокремния.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Это происходит благодаря тому, что указанные процессы контролируются ( лимитируются) поверхностной химической реакцией ( проходят в кинетической области), и поверхностная чувствительность может быть снижена уменьшением отношения O / TEOS или давления. К сожалению, такие изменения процессных параметров ведут к ухудшению заполнения зазоров. Но, с другой стороны, поверхностная чувствительность позволяет получать селективное осаждение пленок USG и добиваться самопланаризации при формировании щелевой изоляции из-за разности в скоростях осаждения и плотности пленок, осаждаемых на участках подложки из нитрида кремния и монокремния.