При толщинах окисной пленки х, меньших, чем ширина хемосорбционного Lx и контактного Ьк барьеров, потенциал ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Бессонов А.Ф. Установки для высокотемпературных комплексных исследований


При толщинах окисной пленки х, меньших, чем ширина хемосорбционного Lx и контактного Ьк барьеров, потенциал в окис-ных пленках р - и n - типа возрастет от металла к границе окисел - газ ( схемы /, г и / /, г), что связано с переходом электронов из металла и объема окисной пленки к ее внешней поверхности. Для окисления пленки n - типа возрастание гораздо круче, электроны переходят из металла в окисел, что приводит к увеличению числа электронов на внешней поверхности пленки.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

При толщинах окисной пленки х,  меньших,  чем ширина хемосорбционного Lx и контактного Ьк барьеров,  потенциал в окис-ных пленках р - и n - типа возрастет от металла к границе окисел - газ ( схемы /,  г и / /,  г),  что связано с переходом электронов из металла и объема окисной пленки к ее внешней поверхности.  Для окисления пленки n - типа возрастание гораздо круче,  электроны переходят из металла в окисел,  что приводит к увеличению числа электронов на внешней поверхности пленки.