Выдержка из книги
Бессонов А.Ф.
Установки для высокотемпературных комплексных исследований
При толщинах окисной пленки х, меньших, чем ширина хемосорбционного Lx и контактного Ьк барьеров, потенциал в окис-ных пленках р - и n - типа возрастет от металла к границе окисел - газ ( схемы /, г и / /, г), что связано с переходом электронов из металла и объема окисной пленки к ее внешней поверхности. Для окисления пленки n - типа возрастание гораздо круче, электроны переходят из металла в окисел, что приводит к увеличению числа электронов на внешней поверхности пленки.