Легирование осажденных из газовой фазы эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников проводят контролируемым введением в нее паров ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов


Легирование осажденных из газовой фазы эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников проводят контролируемым введением в нее паров или газов соединений III и V групп периодической системы элементов. Выбор легирующей примеси определяется рядом факторов. Во-первых, учитывают коэффициент диффузии примеси в твердом полупроводнике: чем он меньше, тем меньше уровень автолегирования - перехода примеси из сильно легированной ( свыше 1018 атом / см3) подложки в растущий эпи-таксиальный слой. Борьба с этим фактором приобретает особо важное значение при получении пп - структур с вы-сокоомным эпитаксиальным слоем.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Легирование осажденных из газовой фазы эпитаксиальных слоев элементарных полупроводников проводят контролируемым введением в нее паров или газов соединений III и V групп периодической системы элементов. Выбор легирующей примеси определяется рядом факторов. Во-первых, учитывают коэффициент диффузии примеси в твердом полупроводнике: чем он меньше, тем меньше уровень автолегирования - перехода примеси из сильно легированной ( свыше 1018 атом / см3) подложки в растущий эпи-таксиальный слой. Борьба с этим фактором приобретает особо важное значение при получении пп - структур с вы-сокоомным эпитаксиальным слоем.