По расчетам авторов 772 ], при увеличении концентрации электронов и дырок от п 2 - ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках


По расчетам авторов 772 ], при увеличении концентрации электронов и дырок от п 2 - 1016 см-3, р 0 до п р - Ю18 смГъ ширина запрещенной зоны в GaAs при Т - 300 К уменьшается на 90 мэв.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

По расчетам авторов 772 ], при увеличении концентрации электронов и дырок от п 2 - 1016 см-3, р 0 до п р - Ю18 смГъ ширина запрещенной зоны в GaAs при Т - 300 К уменьшается на 90 мэв.