Растворение кристаллов начинается в точках выхода на их поверхность дислокаций, так как энергия деформации вблизи ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Черняк А.С.
Химическое обогащение руд
Растворение кристаллов начинается в точках выхода на их поверхность дислокаций, так как энергия деформации вблизи дислокаций достаточна для образования ямок травления и центров окисления. Локализованная энергия зависит от вида дислокации, и, в частности, доказано, что скорость образования ямок при растворении больше на краевых, чем на винтовых дислокациях. Дислокации в отличие от других несовершенств кристаллической решетки присущи веществу и не связаны с наличием примесей. Они характеризуются энергией искажения кристаллической решетки, а появление их, виды и типы развития непосредственно связаны с электронным строением вещества. Выходы дислокаций на поверхности соответствуют местам концентрирования нарушенных конфигураций электронов.