Растворение кристаллов начинается в точках выхода на их поверхность дислокаций, так как энергия деформации вблизи ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Черняк А.С. Химическое обогащение руд


Растворение кристаллов начинается в точках выхода на их поверхность дислокаций, так как энергия деформации вблизи дислокаций достаточна для образования ямок травления и центров окисления. Локализованная энергия зависит от вида дислокации, и, в частности, доказано, что скорость образования ямок при растворении больше на краевых, чем на винтовых дислокациях. Дислокации в отличие от других несовершенств кристаллической решетки присущи веществу и не связаны с наличием примесей. Они характеризуются энергией искажения кристаллической решетки, а появление их, виды и типы развития непосредственно связаны с электронным строением вещества. Выходы дислокаций на поверхности соответствуют местам концентрирования нарушенных конфигураций электронов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Растворение кристаллов начинается в точках выхода на их поверхность дислокаций,  так как энергия деформации вблизи дислокаций достаточна для образования ямок травления и центров окисления.  Локализованная энергия зависит от вида дислокации,  и,  в частности,  доказано,  что скорость образования ямок при растворении больше на краевых,  чем на винтовых дислокациях.  Дислокации в отличие от других несовершенств кристаллической решетки присущи веществу и не связаны с наличием примесей.  Они характеризуются энергией искажения кристаллической решетки,  а появление их,  виды и типы развития непосредственно связаны с электронным строением вещества.  Выходы дислокаций на поверхности соответствуют местам концентрирования нарушенных конфигураций электронов.