Таким образом, термическое окисление кремния в технологически приемлемых интервалах температуры и времени выращивания в проточных ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Угай Я.А. Практикум по химии и технологии полупроводников


Таким образом, термическое окисление кремния в технологически приемлемых интервалах температуры и времени выращивания в проточных системах приводит к образованию пленок предельной толщины. Так, при температуре порядка 1200 С невозможно получить термический SiO2 на кремнии толщиной более примерно 1 5 мкм.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Таким образом, термическое окисление кремния в технологически приемлемых интервалах температуры и времени выращивания в проточных системах приводит к образованию пленок предельной толщины. Так, при температуре порядка 1200 С невозможно получить термический SiO2 на кремнии толщиной более примерно 1 5 мкм.