Работу прибора можно рассмотреть с помощью рис. 13.20. Отрицательное смещение, подаваемое на подложку n - ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы 1979


Работу прибора можно рассмотреть с помощью рис. 13.20. Отрицательное смещение, подаваемое на подложку n - типа, должно быть больше того порога, который требуется для образования однородного обедненного слоя на границе раздела между подложкой и диэлектрической пленкой. Прибор может работать в режиме хранения; он может при этом получить и хранить заряды ( неосновные носители), созданные в полупроводнике с помощью какого-либо источника. Так как неосновными носителями в кремнии / г-типа являются дырки, а электрод отрицателен по отношению к подложке, дырки притягиваются к электроду и задерживаются в потенциальной яме.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Работу прибора можно рассмотреть с помощью рис. 13.20. Отрицательное смещение,  подаваемое на подложку n - типа,  должно быть больше того порога,  который требуется для образования однородного обедненного слоя на границе раздела между подложкой и диэлектрической пленкой.  Прибор может работать в режиме хранения;  он может при этом получить и хранить заряды ( неосновные носители),  созданные в полупроводнике с помощью какого-либо источника.  Так как неосновными носителями в кремнии / г-типа являются дырки,  а электрод отрицателен по отношению к подложке,  дырки притягиваются к электроду и задерживаются в потенциальной яме.