Выдержка из книги
Овечкин Ю.А.
Полупроводниковые приборы 1979
Работу прибора можно рассмотреть с помощью рис. 13.20. Отрицательное смещение, подаваемое на подложку n - типа, должно быть больше того порога, который требуется для образования однородного обедненного слоя на границе раздела между подложкой и диэлектрической пленкой. Прибор может работать в режиме хранения; он может при этом получить и хранить заряды ( неосновные носители), созданные в полупроводнике с помощью какого-либо источника. Так как неосновными носителями в кремнии / г-типа являются дырки, а электрод отрицателен по отношению к подложке, дырки притягиваются к электроду и задерживаются в потенциальной яме.