Мы видим, что при равномерном всестороннем сжатии кристалла, сопровождающемся уменьшением постоянной решетки а0, нижний край ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников


Мы видим, что при равномерном всестороннем сжатии кристалла, сопровождающемся уменьшением постоянной решетки а0, нижний край зоны проводимости смещается вверх, а верхний край валентной зоны - вниз; в результате этого ширина запрещенной зоны увеличивается. Если бы равновесная постоянная решетки а0 соответствовала бы точке А, то имела бы место иная ситуация. В этом смысле влияние сжатия и растяжения решетки может существенным образом отличаться от влияния внешнего электрического поля, которое всегда смещает край зоны проводимости и край валентной зоны в одном направлении. На рис. 82 представлена картина волнообразных колебаний ширины запрещенной зоны при прохождении продольной акустической волны сжатия.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Мы видим, что при равномерном всестороннем сжатии кристалла, сопровождающемся уменьшением постоянной решетки а0, нижний край зоны проводимости смещается вверх, а верхний край валентной зоны - вниз; в результате этого ширина запрещенной зоны увеличивается. Если бы равновесная постоянная решетки а0 соответствовала бы точке А, то имела бы место иная ситуация. В этом смысле влияние сжатия и растяжения решетки может существенным образом отличаться от влияния внешнего электрического поля, которое всегда смещает край зоны проводимости и край валентной зоны в одном направлении. На рис. 82 представлена картина волнообразных колебаний ширины запрещенной зоны при прохождении продольной акустической волны сжатия.