Для полностью ориентированных срастаний щелочных галогенидов [ грани ( 100) ] с напыленными металлическими слоями ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Мейер К.N.
Физико-химическая кристаллография
Для полностью ориентированных срастаний щелочных галогенидов [ грани ( 100) ] с напыленными металлическими слоями можно экспериментально определить критические температуры, которые решающим образом зависят от наличия адсорбционных пленок. При расщеплении кристалла на воздухе ориентация первых зародышей сильно нарушается из-за присутствия адсорбированных слоев. Так как кубические грани металлических кристаллов осаждаются параллельно ребрам подложки, можно сформулировать такой закон срастания: ( 100) КИ ( 100) П; [ Ю0 ] к [100] п, где индексы К и П относятся к элементам кристалла подложки ( носителя) и примеси.
![Для полностью ориентированных срастаний щелочных галогенидов [ грани ( 100) ] с напыленными металлическими слоями можно экспериментально определить критические температуры, которые решающим образом зависят от наличия адсорбционных пленок. При расщеплении кристалла на воздухе ориентация первых зародышей сильно нарушается из-за присутствия адсорбированных слоев. Так как кубические грани металлических кристаллов осаждаются параллельно ребрам подложки, можно сформулировать такой закон срастания: ( 100) КИ ( 100) П; [ Ю0 ] к [100] п, где индексы К и П относятся к элементам кристалла подложки ( носителя) и примеси.](/pic/2791426xKVPYOw0021384136.png)