Последняя отсекает на оси абсцисс отрезок, равный напряжению икз на закрытых транзисторах предыдущего элемента. Сравнение ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Гусев В.В.
Основы импульсной и цифровой техники
Последняя отсекает на оси абсцисс отрезок, равный напряжению икз на закрытых транзисторах предыдущего элемента. Сравнение рис. 6.11, а и 6.11, б показывает, что включение R5 приводит к уменьшению различия в токах iVum, и I MBKC. Влияние разброса входных характеристик на число выходов т при этом также уменьшается. В практических схемах включение Re позволяет довести значение т до четырех-пяти.