Последняя отсекает на оси абсцисс отрезок, равный напряжению икз на закрытых транзисторах предыдущего элемента. Сравнение ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Гусев В.В. Основы импульсной и цифровой техники


Последняя отсекает на оси абсцисс отрезок, равный напряжению икз на закрытых транзисторах предыдущего элемента. Сравнение рис. 6.11, а и 6.11, б показывает, что включение R5 приводит к уменьшению различия в токах iVum, и I MBKC. Влияние разброса входных характеристик на число выходов т при этом также уменьшается. В практических схемах включение Re позволяет довести значение т до четырех-пяти.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Последняя отсекает на оси абсцисс отрезок,  равный напряжению икз на закрытых транзисторах предыдущего элемента.  Сравнение рис. 6.11,  а и 6.11,  б показывает,  что включение R5 приводит к уменьшению различия в токах iVum,  и I MBKC.  Влияние разброса входных характеристик на число выходов т при этом также уменьшается.  В практических схемах включение Re позволяет довести значение т до четырех-пяти.