Структура продольного р-п-р-транзистора представлена на рис. 5.8. Базой служит эпитаксиальный слой п-типа, причем активной базой ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Валиев К.А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах


Структура продольного р-п-р-транзистора представлена на рис. 5.8. Базой служит эпитаксиальный слой п-типа, причем активной базой является узкий зазор между диффузионными областями р - типа, а активными участками эмиттерного и коллекторного р - - переходов - их боковые стенки, обращенные к базе. Изготовление скрытого л - слоя под эмиттерной и коллекторной областями обязательно, так как благодаря градиенту концентрации доноров на границе эпитаксиального и скрытого слоев для дырок, инжектированных эмиттером, создается встроенное поле, которое отражает поток дырок. Здесь отметим лишь его наиболее важные свойства, существенные для анализа совмещенных транзисторных и тиристорных структур.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Структура продольного р-п-р-транзистора представлена на рис. 5.8. Базой служит эпитаксиальный слой п-типа,  причем активной базой является узкий зазор между диффузионными областями р - типа,  а активными участками эмиттерного и коллекторного р - - переходов  -  их боковые стенки,  обращенные к базе.  Изготовление скрытого л - слоя под эмиттерной и коллекторной областями обязательно,  так как благодаря градиенту концентрации доноров на границе эпитаксиального и скрытого слоев для дырок,  инжектированных эмиттером,  создается встроенное поле,  которое отражает поток дырок.  Здесь отметим лишь его наиболее важные свойства,  существенные для анализа совмещенных транзисторных и тиристорных структур.