Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Овечкин Ю.А.
Полупроводниковые приборы 1979
Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. 2.1, а условно показан кристалл, одна часть объема которого имеет дырочную электропроводность, а другая - электронную. Электроны и дырки проводимости могут переходить через границу. Слева от границы раздела электронов значительно меньше, чем справа, поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область. Как только электроны попадают в р-область, они начинают ре-комбинировать с дырками, основными носителями в р-области и их концентрация по мере углубления быстро убывает. Аналогично дырки диффундируют из р-области в n - область и рекомбини-руют там с электронами.