Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы 1979


Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. 2.1, а условно показан кристалл, одна часть объема которого имеет дырочную электропроводность, а другая - электронную. Электроны и дырки проводимости могут переходить через границу. Слева от границы раздела электронов значительно меньше, чем справа, поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область. Как только электроны попадают в р-область, они начинают ре-комбинировать с дырками, основными носителями в р-области и их концентрация по мере углубления быстро убывает. Аналогично дырки диффундируют из р-области в n - область и рекомбини-руют там с электронами.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Электронно-дырочный переход обладает свойствами,  которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы.  На рис. 2.1,  а условно показан кристалл,  одна часть объема которого имеет дырочную электропроводность,  а другая  -  электронную.  Электроны и дырки проводимости могут переходить через границу.  Слева от границы раздела электронов значительно меньше,  чем справа,  поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область.  Как только электроны попадают в р-область,  они начинают ре-комбинировать с дырками,  основными носителями в р-области и их концентрация по мере углубления быстро убывает.  Аналогично дырки диффундируют из р-области в n - область и рекомбини-руют там с электронами.