Выдержка из книги
Баранский П.И.
Полупроводниковая электроника
Как видно из рис. 1.35 и табл. 1.11, для Li, Си и Ni наблюдается аномально большая скорость диффузии, что связано с перемещением диффундирующих атомов преимущественно по междоузлиям, когда не требуется преодоления больших потенциальных барьеров.
