Такие линии, соответствующие переходам с образованием экситонов, имеют многие полупроводниковые кристаллы вблизи края фундаментального поглощения ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Васильев А.А. Пространственные модуляторы света


Такие линии, соответствующие переходам с образованием экситонов, имеют многие полупроводниковые кристаллы вблизи края фундаментального поглощения при низких температурах. Будучи чрезвычайно узкими, они уширяются в электрическом поле при напряженности поля выше некоторой критической. В этом случае интенсивность светового монохроматического ( лазерного) пучка, проходящего через полупроводниковый Кристалл и ослабленного экситонным поглощением, резко возрастает в момент включения электрического импульса.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Такие линии, соответствующие переходам с образованием экситонов, имеют многие полупроводниковые кристаллы вблизи края фундаментального поглощения при низких температурах. Будучи чрезвычайно узкими, они уширяются в электрическом поле при напряженности поля выше некоторой критической. В этом случае интенсивность светового монохроматического ( лазерного) пучка, проходящего через полупроводниковый Кристалл и ослабленного экситонным поглощением, резко возрастает в момент включения электрического импульса.