Энергетический барьер для образования центров кристаллизации включает временную частичную незащищенность катионов. Энергия, необходимая для создания ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Бережной А.И. Ситаллы и фотоситаллы


Энергетический барьер для образования центров кристаллизации включает временную частичную незащищенность катионов. Энергия, необходимая для создания временной частичной незащищенности катионов, и тепловая энергия kT, имеющаяся до температуры плавления вещества, определяют его способность к образованию центров кристаллизации или стеклообразованию. Увеличение отношения анион / катион благоприятно сказывается на кристаллизации. Замещение одного иона О2 - двумя ионами F - или двумя ионами ОН - является широко известным методом снижения вязкости и ускорения образования центров кристаллизации.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Энергетический барьер для образования центров кристаллизации включает временную частичную незащищенность катионов.  Энергия,  необходимая для создания временной частичной незащищенности катионов,  и тепловая энергия kT,  имеющаяся до температуры плавления вещества,  определяют его способность к образованию центров кристаллизации или стеклообразованию.  Увеличение отношения анион / катион благоприятно сказывается на кристаллизации.  Замещение одного иона О2 - двумя ионами F - или двумя ионами ОН - является широко известным методом снижения вязкости и ускорения образования центров кристаллизации.