Основные результаты изучения условий эпитаксиального роста и электрических свойств пленок следующие. При 900 С слои ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Кузнецов Ф.А. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2


Основные результаты изучения условий эпитаксиального роста и электрических свойств пленок следующие. При 900 С слои состояли из более или менее отдельных островков. Это заключение было сделано на основании измерения проводимости. Оптимальная температура получения сплошных эпитаксиальных пленок кремния на шпинели лежит в области 850 - 875 С.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Основные результаты изучения условий эпитаксиального роста и электрических свойств пленок следующие. При 900 С слои состояли из более или менее отдельных островков. Это заключение было сделано на основании измерения проводимости. Оптимальная температура получения сплошных эпитаксиальных пленок кремния на шпинели лежит в области 850 - 875 С.