Профили распределения фосфора и бора, представленные на рис. 5.3.2, получены с помощью ионного микроанализатора. Было ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Хамакава И.N.
Аморфные полупроводники и приборы на их основе
Профили распределения фосфора и бора, представленные на рис. 5.3.2, получены с помощью ионного микроанализатора. Было найдено, что наличие атомов бора в / - слое увеличивает длину дрейфа фотосгенерированных дырок и что наибольшая эффективность преобразования в солнечном элементе со структурой ( ЖО / н - / - р / Нерж.
