В образующуюся при этом вакансию перемещаются атомы из нижележащих узлов. Схематически образование дефектной структуры по ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Горещенко Я.Г. Физико-химический анализ гомогенных и гетерогенных систем


В образующуюся при этом вакансию перемещаются атомы из нижележащих узлов. Схематически образование дефектной структуры по Шотки показано на рис. 71, а. Линия аа схематически обозначает поверхность кристалла. Переползание атомов из объема кристалла на поверхность показано стрелками. При нагревании в случае образования дефектов по Шотки вакансии переползают внутрь объема кристалла. Охлаждение сопровождается обратным перемещением вакансий из объема кристалла на поверхность. Атомы в структурах по Шотки всегда остаются в узлах кристаллической решетки, не смещаясь в междуузлия.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В образующуюся при этом вакансию перемещаются атомы из нижележащих узлов. Схематически образование дефектной структуры по Шотки показано на рис. 71, а. Линия аа схематически обозначает поверхность кристалла. Переползание атомов из объема кристалла на поверхность показано стрелками. При нагревании в случае образования дефектов по Шотки вакансии переползают внутрь объема кристалла. Охлаждение сопровождается обратным перемещением вакансий из объема кристалла на поверхность. Атомы в структурах по Шотки всегда остаются в узлах кристаллической решетки, не смещаясь в междуузлия.